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J-GLOBAL ID：200903082905190905

高エネルギーイオン打ち込み装置

Inventor： 登木口 克己 ,  雨宮 健介 ,  伊藤 純也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344291
Publication number (International publication number)：1994196119
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 試料基板の温度を所定の値以上に上昇させずに、MeV級の高エネルギーでかつ大電流のイオンビームでイオン打ち込みをすることができる高エネルギーイオン打ち込み装置を提供することを目的とする。【構成】 高周波四重極加速器1は、入射したイオンビームを加速して高エネルギーのイオンビームにする。ビーム偏向器2は、高周波四重極加速器1から出射されたイオンビームの出射方向を変える。イオン打ち込み室3a,3b,3cは、それぞれ、ビーム偏向器2で偏向されたイオンビームを導入し、自身に設置してある試料基板4a,4b,4c,4d,4e,4fにそのイオンビームを照射させてイオン打ち込みをするための部屋である。【効果】 高周波四重極加速器がもつ最大ビーム出射性能を発揮させてイオン打ち込みをすることができる。

Claim (excerpt)：

軸方向に沿って波打ち形状をもつ4本の電極を有しこれら4本の電極位置の中心部分にイオンビームを導入してそのイオンビームを加速する高周波四重極加速器と、この高周波四重極加速器にイオンビームを導入するためのイオンビーム入射系と、前記高周波四重極加速器から出射されたイオンビームを偏向するビーム偏向器と、このビーム偏向器を経てきたイオンビームを用いてイオン打ち込みをする複数のイオン打ち込み室とを有することを特徴とする高エネルギーイオン打ち込み装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-220264
  
• 特開昭60-121655