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J-GLOBAL ID：200903082910804172
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186016
Publication number (International publication number)：1993029481
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】平坦性の優れた配線層間膜を有する半導体装置を実現する。【構成】有機SOG膜5を第1アルミニウム配線層3の上部に残らないよう、第1絶縁膜4の凹部に選択的に残存させ、次に無機SOG膜7aをその上部に形成し平坦化する。さらに、第2絶縁膜6を形成し、第1アルミニウム配線層3と第2アルミニウム配線層8の配線層間膜を実現する。
Claim (excerpt)：
2層以上の多層配線層を有し、各配線層間の層間膜が第1絶縁膜と、該第1絶縁膜の凹部にのみ選択的に形成された有機SOG膜と、該有機SOG膜と前記第1絶縁膜上に形成した第2の絶縁膜とから成る半導体装置において、前記有機SOG膜上に無機SOG膜を配したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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