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J-GLOBAL ID：200903082912771352
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992343274
Publication number (International publication number)：1994168921
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ?@オーバーエッチング時に生じるダメージ層の除去を完全に行うことを可能とし、耐圧劣化等の懸念のない良好な特性を得ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法の提供。?Aウェット処理によりエッチング後の不要な側壁保護膜を良好に除去することができる半導体装置の製造方法の提供。【構成】 ?@ドライエッチングによって下地絶縁膜に与えられたダメージ層Dをウェットエッチングによる処理により除去する半導体装置の製造方法。?A絶縁膜上に成膜された膜が、絶縁膜のダメージ層を介することなく形成されている半導体装置。?Bドライエッチングによりパターン形成された形成後のパターン側壁の側壁保護膜の除去を、スプレー式スピン洗浄装置により行う。
Claim (excerpt)：
下地絶縁膜上にドライエッチングによりパターン形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ドライエッチングによって下地絶縁膜に与えられたダメージ層をウェットエッチングによる処理により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/306
Cited by examiner (8)
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