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J-GLOBAL ID：200903082914056448

半導体素子

Inventor： 澤木 宣彦 ,  本田 善央 ,  小出 典克
Applicant, Patent owner： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000382164
Publication number (International publication number)：2002185041
Application date： Dec. 15, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系半導体層の積層構造を有する半導体素子をチップ状にカッティングし易くすることにより端面におけるチッピングの発生を抑制する。【解決手段】 本発明に係る半導体素子は、シリコン基板1上にAlxGayInzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層2〜5を有し、シリコン基板1は(112)面から任意の方向に±5度の範囲にある面で構成される主面を有し、この主面上に上記化合物半導体層2〜5を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にAlxGayInzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層を有する半導体素子において、前記シリコン基板は(112)面から任意の方向に±5度の範囲にある面で構成される主面を有し、前記主面上に前記化合物半導体層を有することを特徴とする、半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34

F-Term (21)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA18 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76