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J-GLOBAL ID：200903082916675927

良好な密着性およびトレンチ充填特性を有する高品質銅膜を堆積する、銅MOCVDの初期段階における熱高密度化

Inventor： ウエイ パン ,  ダビット ラッセル エバンス ,  シェン テン スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002242729
Publication number (International publication number)：2003163174
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 良好な密着性およびトレンチ充填特性を有する高品質銅膜を堆積することができる、銅MOCVDプロセスの初期段階における熱高密度化の方法を提供すること。【解決手段】 本発明の方法は、窒化物成分を有する集積回路基板上で銅薄膜を形成する方法であって、基板を調製する工程と、銅堆積の前に基板を処理する工程と、約10秒〜40秒間持続する、持続時間が非常に短い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程と、基板および堆積された銅を、約1分〜10分間、385°Cより高い温度でベーキングする工程と、所望の厚さまで銅を堆積するため、持続時間が長い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

窒化物成分を有する集積回路基板上で銅薄膜を形成する方法であって、該基板を調製する工程と、銅堆積の前に該基板を処理する工程と、約10秒〜40秒間持続する、持続時間が非常に短い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程と、該基板および該堆積された銅を、約1分〜10分間、385°Cより高い温度でベーキングする工程と、所望の厚さまで銅を堆積するため、持続時間が長い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程とを包含する、方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285

FI (5)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 R ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 C

F-Term (12)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030DA02 ,  4K030DA09 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 銅薄膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-059279   Applicant：三菱電機株式会社