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J-GLOBAL ID：200903082923087330

半導体用単結晶の製造方法

Inventor： 只友 一行 ,  渡部 信一 ,  岡川 広明 ,  平松 和政
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994092926
Publication number (International publication number)：1995277884
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 青色LED等に用いられる半導体用単結晶の製造方法に関し、更に詳しくはGaN等の単結晶の大面積化を図るための製造方法を提供すること。【構成】 易破壊性の基板上にバッファ層を形成し、次いで該バッファ層上にIII 族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物の単結晶を成長させることを特徴とする半導体用単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

易破壊性の基板上にバッファ層を形成し、次いで該バッファ層上に III族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物の単結晶を成長させることを特徴とする半導体用単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00