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J-GLOBAL ID：200903082931933274
素子のパッケージ構造およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
五十嵐 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996354588
Publication number (International publication number)：1998189795
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 素子の真空封止の信頼性が高い素子のパッケージ構造を提供する。【解決手段】 基板1の上側に蓋部2を接合し、この基板1と蓋部2に囲まれる空間3に素子4を収容する。空間3に連通する連通孔5を蓋部2に設け、蓋部2の上面に連通孔5の開口部を設ける。蓋部2上面に開口する連通孔5の開口部の全周に渡る領域に下地電極膜を形成し、下地電極膜に熱溶融性材料8を接合させて熱溶融性材料8により連通孔5の開口部を塞ぎ、素子4を真空空間3に封止する。連通孔5の開口部を熱溶融性材料8で塞ぐ前に、真空中で、空間3の真空排気を行うと共に、同真空中で、熱溶融性材料8を加熱溶融させて熱溶融性材料8からガスが抜け切るまで待機し、その後、ガス抜きが終了した熱溶融性材料8を連通孔5の開口部周縁の下地電極膜に押し付け接合させ、連通孔5の開口部を熱溶融性材料8で塞ぎ、空間3を真空封止する。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板の上に接合する蓋部と、上記基板と蓋部に囲まれる真空空間と、上記基板に形成され上記真空空間に収容される素子と、上記蓋部の上面に開口部が形成され該開口部と上記真空空間を連通する連通孔と、この連通孔を塞ぐ熱溶融性材料とを有し、上記連通孔の開口部周縁の蓋部上面には下地電極膜が形成され、上記熱溶融性材料は上記蓋部上面の下地電極膜に接合して上記連通孔の開口部を塞ぐ構成としたことを特徴とする素子のパッケージ構造。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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