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J-GLOBAL ID：200903082946313124

整流用半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  石田 純一
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037573
Publication number (International publication number)：1995226521
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 整流用ダイオ-ドとしての諸特性(IR、VF、trr等)の向上を図った半導体装置を提供する。【構成】 N型半導体基板3の表面に複数のショットキ金属接合部1と、前記N型基板3よりも高不純物濃度を有する複数のP型半導体領域2を形成して成るPN接合部とを並列に配設した整流ダイオ-ドにおいて、前記P型領域2が低不純物濃度部2bの上部面の少なくとも一部を覆いかつ低不純物濃度部(2b)より浅く形成された高不純物濃度部2aとから成り、前記ショットキ金属1がショットキ接合周辺において高不純物濃度部2aと接し、かつ高不純物濃度部2a表面とオ-ミック接触している構造を特徴とする。

Claim (excerpt)：

N型半導体基板の表面に複数のショットキ金属接合部と、前記N型基板よりも高不純物濃度を有する複数のP型半導体領域を形成して成るPN接合部とを並列に配設した整流ダイオ-ドにおいて、前記P型領域が低不純物濃度部(P-)の上部の全面を覆う高不純物濃度部(P+)とから成り、前記ショットキ金属がショットキ接合周辺において高不純物濃度部(P+)と接し、かつ高不純物濃度部(P+)表面の全面と接している構造を特徴とする整流用半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (2)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 整流用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-203969   Applicant：新電元工業株式会社