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J-GLOBAL ID：200903082946845797

太陽電池基板の製造方法

Inventor： 村松 信一 ,  渡辺 猛志 ,  筒井 謙 ,  田村 克
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264612
Publication number (International publication number)：1995122764
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池内に入射した光の閉じ込め効果を高め、かつ均質な薄膜を形成することのできる太陽電池基板の製造方法を提供すること【構成】 上記目的は、薄膜太陽電池を形成する基板の主面において、少なくとも薄膜太陽電池を形成する部分を凹凸形状化し、該凹凸の平均段差以下の厚さの薄膜を該凹凸形状の底部に選択的に形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法とすることによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

薄膜太陽電池を形成する基板の主面において、少なくとも薄膜太陽電池を形成する部分を凹凸形状化し、該凹凸の平均段差以下の厚さの薄膜を該凹凸形状の底部に選択的に形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H