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J-GLOBAL ID：200903082951168620
トップ・ドレイン・トレンチ形RESURF DMOSトランジスタ構造体
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993115047
Publication number (International publication number)：1994097450
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 優れたRDSオン特性を有し、一方、小さなトランジスタ面積領域を有する、高電圧電力用トランジスタを提供する。【構成】 トップ・ドレイン・トレンチ形RESURF DMOSトランジスタ構造体により、トランジスタ・セル・ピッチをできるだけ小さくすることによって、優れたRDSオン特性が得られる。前記トランジスタは、ゲートと、ソースと、ドレインを有する。トレンチは不均一な誘電体裏打ち体を有することができる。ドレイン・ドリフト領域が前記トレンチを部分的に取り囲む。多重トレンチ形RESURF DMOSトランジスタを1個の半導体ダイの上に作成することを可能にし、電流は横方向に流れる。ソースを基板から電気的に分離するための分離領域を付加することにより、高レベル側駆動器への応用に、およびソースとアースとの間に電気的な分離を必要とする他の応用に、この電力用トランジスタを組み込むことができる。
Claim (excerpt)：
ソースと、ドレインと、前記ソースと前記ドレインとの間のトレンチの中に作成されたゲートと、を有する、高電圧電力用トランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 321 V
, H01L 29/78 321 X
