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J-GLOBAL ID:200903082956407593
MISトランジスタ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
永井 冬紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991225019
Publication number (International publication number):1993048088
Application date: Aug. 09, 1991
Publication date: Feb. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ホットキャリアのゲート絶縁膜への注入を抑制しうるMISトランジスタを提供する。【構成】 基板21上に形成されたソース領域25およびドレイン領域24と、これらソース領域25およびドレイン領域24の間に形成されるチャネル領域32と、このチャネル領域32に近接して設けられたゲート電極23とを備えたMISトランジスタにおいて、基板21とゲート電極23との間に、少なくともドレイン領域24とチャネル領域32との境界部33の上方を覆う真空または不活性気体が充満された空洞領域28、29を設けた。
Claim (excerpt):
基板に形成されたソース領域およびドレイン領域と、これらソース領域およびドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域に近接して設けられたゲート電極とを備えたMISトランジスタにおいて、前記基板とゲート電極との間に形成され、少なくとも前記ドレイン領域とチャネル領域との境界部の上方を覆う真空または不活性気体が充満された空洞領域を備えたことを特徴とするMISトランジスタ。
IPC (2):
H01L 29/784
, H01L 21/336
FI (2):
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 L
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