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J-GLOBAL ID：200903082969979014
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991297647
Publication number (International publication number)：1993109737
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの製造に際し、結晶欠陥や不純物等を素子活性領域から除去する。【構成】 絶縁基板1上にアモルファスシリコン膜4を堆積し、その上に酸化膜5を形成し、その上にパターン形成したフォトレジスト膜6をマスクとしてイオンを注入することにより、非素子形成領域3に対応する部分のアモルファスシリコン膜4のみを高不純物領域化してゲッタリング層7とする。次に、フォトレジスト膜6を除去した後レーザアニールすることにより、アモルファスシリコン膜4を結晶化してポリシリコン膜とすると共に、素子形成領域2に対応する部分のアモルファスシリコン膜4における結晶欠陥や不純物等をその周囲の高不純物領域7に吸収させる。この後、酸化膜5を除去し、次いで素子分離により不要な部分のポリシリコン膜(ゲッタリング層7)を除去する。この状態では、絶縁基板1上の素子形成領域2のみにポリシリコン膜が形成されている。
Claim (excerpt)：
素子形成領域およびその周囲の非素子形成領域に半導体薄膜を堆積し、次いで前記非素子形成領域に対応する部分の前記半導体薄膜のみを高不純物領域化してゲッタリング層とし、次いでアニールすることにより、前記素子形成領域に対応する部分の前記半導体薄膜における結晶欠陥や不純物等をその周囲の前記ゲッタリング層に吸収させ、次いで該ゲッタリング層を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/322
, H01L 29/784
