Pat

J-GLOBAL ID：200903082987706173

半導体装置

Inventor： 小山 邦明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993318939
Publication number (International publication number)：1995147329
Application date： Nov. 25, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置における微細なコンタクトに対する電極並びに配線構造に係り、コンタクトの“目合わせずれ”を考慮することなく、電極間隔をPRの加工限界以下にして、電極面積を大きくすることを、電極高さの制限なしで可能とすること。【構成】 P型シリコン基板1上に形成された拡散層5に接続される容量下部電極は、コンタクト部からシリコン酸化膜6上に突出した多結晶シリコン8から選択的に形成された選択シリコン9により形成される。これにより電極面積が大きくなり、その上に容量絶縁膜10及び容量上部電極11が形成されるという構造により、DRAMのキャパシタ容量を大きくとることができる。

Claim (excerpt)：

第1の導電体層上にコンタクトホ-ルが形成された絶縁層があり、前記コンタクトホ-ルに埋め込まれた前記第1の導電体層に接続されると共に、前記コンタクトのサイズで絶縁層から突出した第2の導電体層と、前記絶縁層から突出した部分の第2の導電体層の表面に選択的に第3の導電体層が形成されている構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-094163
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-234113   Applicant：三洋電機株式会社