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J-GLOBAL ID：200903082988345298

スメクティック液晶化合物

Inventor： 舟橋 正浩 ,  張 発培 ,  玉置 信之
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006306942
Publication number (International publication number)：2008013539
Application date： Nov. 13, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：

【課題】室温付近で高次のスメクティック相を示し、溶液プロセスにより室温で安定なスメクティック液晶性薄膜を形成できることに加え、優れた両極性の電荷輸送性を示す液晶性半導体並びにこれを用いた薄膜トランジスター等を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物(式中、R1は炭素数1〜8の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜8のアルキル基、あるいは、アルコキシ基を示す。式中、nは0〜3の整数である。) 上記スメクティック液晶を用いた両極性電荷輸送材料。上記スメクティック液晶化合物を含む薄膜層を備えた有機半導体薄膜。該有機半導体薄膜を用いた薄膜トランジスター。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるスメクティック液晶化合物。

IPC (6)：

C07D 333/10 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  C09K 19/34

FI (6)：

C07D333/10 ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  C09K19/34

F-Term (20)：

4H027BA03 ,  4H027BD24 ,  4H027BE06 ,  4H027DJ01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-142783
  
• ターチオフェン骨格を有する非対称液晶性電荷輸送材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-051876   Applicant：大日本印刷株式会社
• π共役化合物およびそれを含む導電性有機薄膜、それを利用した電界効果型有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-007482   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ChemPhysChem, 2006, Vol.7, pp.1193-1197