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J-GLOBAL ID：200903082995568960

半導体エッチング方法および半導体レーザ装置

Inventor： ティモシー デビット ベストウイック ,  クレイグ トンブリング
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997046312
Publication number (International publication number)：1997331117
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 対称的な断面形状および平滑な側壁を有する半導体レーザのリッジを形成できる半導体エッチング方法を提供する。【解決手段】 SiCl4プラズマまたはSiCl4/(He,Ne)プラズマを用いて(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体層構造がエッチングされる。エッチングは、0°C〜80°Cの温度および1.33×10-1Pa(1mTorr)未満のプラズマ圧力で行われる。エッチングされた表面は、(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体レーザの製造において用いられるエチングプロセスにとって十分に平滑である。

Claim (excerpt)：

SiCl4プラズマを用いた(Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P半導体層をエッチングする方法であって、該エッチングが1.33×10-1Pa(1mTorr)未満の圧力で行われる半導体エッチング方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-123428
  
• 面発光レーザ装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-083842   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-229069   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭57-117251