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J-GLOBAL ID：200903083008925150

低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法

Inventor： 大谷 博之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233360
Publication number (International publication number)：1994085459
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法において、Auめっき工程が表面導体とセラミック基板との密着強度を低下させるという課題を解決し、Cu導体の密着強度を劣化させることなく、安価に、かつ高い信頼性を有する低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法を提供する。【構成】 Cuビアホール3とCu回路パターン4とを有する第1のグリーンシート1と、その第1のグリーンシート1上にCuビアホール3やCu回路パターン4と接触しないようにAu回路パターン5を形成させた第2のグリーンシート2を必要枚数積層して酸化雰囲気で脱脂する工程と、還元雰囲気でCuOをCuにする工程と、中性雰囲気で焼成する工程とからなる。【効果】 表面導体の密着強度を劣化させず、安価に信頼性の高い低温焼成セラミック多層回路基板を得ることができる。

Claim (excerpt)：

セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成分としCuOと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストで形成されたCuビアホールとCu回路パターンとを有する第1のグリーンシートとその第1のグリーンシート上にAuと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストにより前記CuビアホールおよびCu回路パターンと接触しないように形成されたAu回路パターンを有する第2のグリーンシートとを、第2のグリーンシートが最表面にくるようにそれぞれ必要枚数積層する工程と、前記積層してなる積層体を酸化雰囲気にて脱脂する工程と、還元雰囲気にてCuOをCuにする工程と、850°C〜1000°Cの中性雰囲気にて焼成する工程とを含む低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法。