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J-GLOBAL ID：200903083010229373

窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法

Inventor： 吉村 雅司 ,  松井 辰珠 ,  山本 剛久 ,  山川 晃
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 中村 勝成 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276607
Publication number (International publication number)：1994100370
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 粗大粒を含まない均一で微細な結晶粒で構成され、且つアスペクト比の大きな柱状結晶を含む組織とすることで、強度と破壊靭性を同時に向上させた窒化ケイ素系焼結体を提供する。【構成】 母相の窒化ケイ素が66〜99体積%のβ-Si3N4と残部のα-Si3N4とからなり、これら窒化ケイ素は短軸径500nm以下でアスペクト比5〜25の柱状結晶と平均粒径300nm以下の等軸状結晶とで構成され、且つ母相結晶粒内及び粒界相にチタン化合物を含有する窒化ケイ素系焼結体。この窒化ケイ素系焼結体は、α-Si3N4粉末に酸化チタンと焼結助剤を添加し、その成形体を不活性ガス雰囲気中1300〜1600°Cで1次焼結し、次に10気圧以上の不活性ガス雰囲気中1400〜1650°Cで2次焼結して製造される。

Claim (excerpt)：

母相となる窒化ケイ素が66〜99体積%のβ-Si3N4と残部のα-Si3N4とからなり、これらの窒化ケイ素は短軸径500nm以下でアスペクト比5〜25の柱状結晶と平均粒径300nm以下の等軸状結晶とで構成され、且つ母相結晶粒内及び粒界相にチタン化合物を含有することを特徴とする窒化ケイ素系焼結体。