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J-GLOBAL ID：200903083011994090

微細構造形成方法および装置

Inventor： 長谷川 剛 ,  細木 茂行 ,  河野 真貴子 ,  市川 昌和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172857
Publication number (International publication number)：1995033600
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Feb. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 nmレベル幅の微細構造を形成する手法を提供する。【構成】 半導体表面上に、nmレベルで制御可能な金属細線を形成し、その表面に半導体結晶を成長させる。その際、金属上には、半導体結晶が成長しない金属と半導体の組合せとした。【効果】 金属細線の幅は、供給量によりnmレベルで制御可能であり、該金属細線上に半導体結晶は成長しないので、容易に溝部に金属細線を有する微細構造が形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体表面に第1の金属薄膜を形成する過程と、該過程の後、該半導体表面に基板温度Tで第2の結晶を成長させる過程とからなる微細構造形成方法であって、温度Tを、第2の結晶を構成すべき粒子が前記第1の金属薄膜上を拡散可能な温度T1よりも高く、かつ、前記第1の金属薄膜の蒸発温度T2よりも低く設定することによって、該第2の結晶が、第1の金属薄膜上には成長しないことを特徴とする微細構造形成方法。

IPC (2)：

C30B 35/00 ,  H01L 21/3205