Pat
J-GLOBAL ID：200903083012666088
半導体ウェーハの研削加工方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173826
Publication number (International publication number)：1995078793
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】ウェーハプロセスを終えたウェーハを、裏面研削とダイシングを経て個々のペレットに分割するまでの半導体装置の組み立て製造工程において、工程短縮、ターンアラウンドタイムの改善、及び設備費低減が可能な半導体ウェーハの研削方法を提供する。【構成】本発明は、複数の砥石軸を有する一台の研削加工装置を用い、半導体ウェーハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウェーハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で前記ウェーハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行なうことを特徴とする研削加工方法である。
Claim (excerpt)：
複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウェーハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸でウェーハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で前記ウェーハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行なうことを特徴とする半導体ウェーハの研削加工方法。
IPC (2)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 331
