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J-GLOBAL ID：200903083013413892

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997303527
Publication number (International publication number)：1999121760
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高性能な電気光学装置や半導体回路、さらにはそれらを搭載した電子機器を低価格で提供する。【解決手段】 高温アニール処理を経て形成される結晶性半導体薄膜を安価で耐熱性の高い結晶化ガラス基板上に形成する。その際、結晶化ガラスの少なくとも表面及び裏面を絶縁性珪素膜で保護し、ガラス成分の流出を防止する。この様な構成によって高性能な半導体装置を低価格で提供することができる。

Claim (excerpt)：

歪点が750°C以上であるガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも表面及び裏面に対して形成された絶縁性珪素膜と、前記絶縁性珪素膜上に形成された結晶性半導体薄膜をチャネル形成領域とするTFTと、を構成に含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-152879   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所