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J-GLOBAL ID：200903083019871876
受光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998119733
Publication number (International publication number)：1999312823
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高周波ノイズ特性が改善される受光素子を提供する。【解決手段】 本発明による受光素子は、第1導電型を有する半導体基板1と、該半導体基板1上に形成された第2導電型を有する第1の半導体層4と、該第1の半導体層4の表面から該半導体基板1の表面に達するように形成され、該第1の半導体層4を複数の第1の領域に分割する該第1導電型を有する第2の半導体層5と、を備えた受光素子であって、該複数の第1の領域と、該半導体基板1の該複数の第1の領域の下に位置する部分と、によって信号光を検出する複数のフォトダイオード部が構成され、該第1の半導体層4の表面に、該第1導電型を有する第3の半導体層16がさらに設けられており、該第3の半導体層16は、該第1の半導体層4に電気的に接続されている。
Claim (excerpt)：
第1導電型を有する半導体基板と、該半導体基板上に形成された第2導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層の表面から該半導体基板の表面に達するように形成され、該第1の半導体層を複数の第1の領域に分割する該第1導電型を有する第2の半導体層と、を備えた受光素子であって、該複数の第1の領域と、該半導体基板の該複数の第1の領域の下に位置する部分と、によって信号光を検出する複数のフォトダイオード部が構成され、該第1の半導体層の表面に、該第1導電型を有する第3の半導体層がさらに設けられており、該第3の半導体層は、該第1の半導体層に電気的に接続されている、受光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
