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J-GLOBAL ID：200903083020137574
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994196863
Publication number (International publication number)：1996064613
Application date： Aug. 22, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明は真性領域である半導体層を被覆する保護絶縁膜を有する半導体装置に関し、保護絶縁膜と半導体層の熱膨張係数の差によるストレスの発生を抑制することにより、製造歩留り、素子特性或いは信頼性の向上を図る。【構成】 半導体基板11上に形成された真性領域である半導体層13,18,23,24を被覆する保護絶縁膜30を有する半導体装置において、保護絶縁膜30としてアンドープ又は非晶質の半導体膜を用いることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された真性領域である半導体層を被覆する保護絶縁膜を有する半導体装置において、前記保護絶縁膜としてアンドープ又は非晶質の半導体膜を用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/203
, H01L 21/31
, H01L 29/205
