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J-GLOBAL ID：200903083020585682

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 平井 桂
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002111862
Publication number (International publication number)：2003309265
Application date： Apr. 15, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流が少なく、かつ、スイッチング速度の改良されたノーマリーON型の有機薄膜トランジスタを提供することにあり、又、別の目的は、大気圧環境下で製造することのできる、より低コストの有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。さらに、別の目的は、安価なFPD等の有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】 支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が10-2S/cm以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

Claim (excerpt)：

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び少なくとも一種の有機半導体材料を含む活性半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体材料の導電率が10-2S/cm以上であり、又、前記活性半導体層は絶縁体材料の微粒子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  B41J 2/01 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00

FI (8)：

G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/28 ,  B41J 3/04 101 Z

F-Term (55)：

2C056FB01 ,  2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA33 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA09 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092MA03 ,  2H092MA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092NA22 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32