Pat

J-GLOBAL ID：200903083029214474

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 山口 裕人 ,  小池 淳 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999339241
Publication number (International publication number)：2001152330
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 アスペクト比の大きな基体上に、ボトムカバレッジ性の良い膜を形成する。【解決手段】 イオン化した粒子を基体7に入射させて堆積膜を形成する成膜方法及び成膜装置において、基体7の表面側に引き込み電極10を設け、この引き込み電極に接地電位に対して負極性の周期的に変化する電圧を印加しながら成膜を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

イオン化した粒子を基体に入射させて堆積膜を形成する成膜方法において、前記基体の裏面側に引き込み電極を設け、前記引き込み電極に接地電位に対して負極性の周期的に変化する電圧を印加しながら成膜を行なうことを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  G11B 7/26 ,  G11B 11/105 546 ,  G11B 11/105 ,  H01L 21/285

FI (5)：

C23C 14/34 S ,  G11B 7/26 ,  G11B 11/105 546 B ,  G11B 11/105 546 F ,  H01L 21/285 S

F-Term (14)：

4K029BD01 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC34 ,  4K029EA09 ,  4M104DD39 ,  4M104HH13 ,  5D075GG03 ,  5D075GG12 ,  5D075GG16 ,  5D121AA01 ,  5D121EE03 ,  5D121EE29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜作成方法および薄膜作成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-066067   Applicant：アネルバ株式会社
• オーバハングの低減および底部カバレージの改善のための変調誘導電力及びバイアス電力の使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-319620   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド