Pat

J-GLOBAL ID：200903083041312031

発光素子

Inventor： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087062
Publication number (International publication number)：1993291618
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 III族元素を含む窒化物系薄膜からなる紫外色から橙色までの発光を有する発光素子を得ること。【構成】 基板上形成されたGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体からなる組成傾斜構造、その上にGa1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)からなるn型半導体層およびp型あるいはi型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有した構造からなる発光素子。

Claim (excerpt)：

基板上に直接形成されたGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1、0≦y≦1)半導体層において順次xおよび/あるいはyを変化せしめて最終的に組成Ga1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)とするような組成傾斜構造を有し、かつGa1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1、0≦b≦1)からなるn型半導体層およびp型あるいはi型半導体層を組み合わせてなる発光層を少なくとも一つ有し、該発光層に電圧を印加するために半導体層の所望の部位に電極が形成されてなることを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203