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J-GLOBAL ID：200903083061874095
窒化炭素膜の製造方法及び製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石川 新 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998014016
Publication number (International publication number)：1999209868
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 03, 1999
Summary：
【要約】【課題】 炭素と窒素との反応性を向上させるとともに、窒化炭素膜と基材との密着性を向上させ得る窒化炭素膜の製造方法を提供する。【解決手段】 真空容器内に保持された基材上に、窒素を含有するイオンを照射すると同時に炭素蒸気を照射する。また、上記イオンの照射エネルギを20keV〜150keVに設定する。
Claim (excerpt)：
真空容器内に保持された基材上に、窒素を含有するイオンを照射すると同時に炭素蒸気を照射することを特徴とする窒化炭素膜の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/06 H
, C23C 14/48 Z
