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J-GLOBAL ID：200903083071711194

半導体装置の製造方法

Inventor： 橋本 潤 ,  小林 元樹 ,  松井 孝行
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211582
Publication number (International publication number)：1997064297
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 配線の信頼性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板41にフィールド酸化膜42、ゲート酸化膜43を形成した後、リンドープ多結晶シリコン44とNSG45からなるワードラインの配線パターンを形成する。NSG46を形成した後、イオン注入法により、ソース・ドレイン47を形成する。次に、シリコン窒化膜48、BPSGを全面に形成した後、レジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして、BPSG、シリコン窒化膜48を除去する。さらに、NSGをエッチバックして、サイドウォールNSGを形成する。

Claim (excerpt)：

ゲート酸化膜を有するシリコン基板の前記ゲート酸化膜上に導電膜と絶縁膜を有する配線パターンを形成する工程と、全面に第1の酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン系絶縁膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に第2の酸化シリコン系層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン系層間絶縁膜、前記シリコン窒化膜、前記第1の酸化シリコン系絶縁膜を除去して、前記配線パターン間にコンタクトホールを開口する工程とを、含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 D