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J-GLOBAL ID：200903083075058975

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 池上 嘉一 ,  竹田 昇一
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267298
Publication number (International publication number)：1993075216
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 素子分離の歩留まりを向上させた半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 基板の片面にエピタキシャル層を積層したウェハー6にスクライブ溝8、10を形成し、該スクライブ溝8、10を利用して前記ウェハー6をへき開して共振器面を形成し、素子を分離する半導体レーザ素子の製造方法において、共振器面形成のためのスクライブ溝8をウェハー6のエピタキシャル積層面7に形成し、素子分離のためのスクライブ溝10をウェハー6の基板面9に形成する。

Claim (excerpt)：

基板の片面にエピタキシャル層を積層したウェハーにスクライブ溝を形成し、該スクライブ溝を利用して前記ウェハーをへき開して共振器面を形成し、素子を分離する半導体レーザ素子の製造方法において、共振器面形成のためのスクライブ溝をウェハーのエピタキシャル積層面に形成し、素子分離のためのスクライブ溝をウェハーの基板面に形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/78