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J-GLOBAL ID：200903083075278258

半導体加速度センサ

Inventor： 川平 哲也
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 藤本 博光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992313550
Publication number (International publication number)：1994160417
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度特性を向上させ、ダイアフラムが破損する恐れをなくし、加速度を精度良く検出することできる。【構成】 シリコンからなる半導体チップ12が台座20に接合されて一体化され、半導体チップ12の重錘体12bの慣性力によりダイアフラム12aに生じる歪みから加速度を検出する半導体加速度センサおいて、半導体チップ12と台座20との間に空間26を形成し、前記空間26を前記半導体チップ12および台座20の外部に連通する所定内径の連通孔24を前記半導体チップ12及び台座20の一体化されたものに形成し、かつ、前記空間26に圧力伝導体を装入した。

Claim (excerpt)：

半導体チップが台座に接合されて一体化され、半導体チップの重錘体の慣性力によりダイアフラムに生じる歪みから加速度を検出する半導体加速度センサおいて、半導体チップと台座との間に空間を形成し、前記空間を前記半導体チップおよび台座の外部に連通する所定内径の連通孔を前記半導体チップ及び台座の一体化されたものに形成し、かつ、前記空間に圧力伝導体を装入したことを特徴とする半導体加速度センサ。