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J-GLOBAL ID：200903083080382500

半導体装置

Inventor： 越 智 雅 範 ,  今 村 壮 一 ,  細 井 重 広 ,  上 野 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997219554
Publication number (International publication number)：1999068086
Application date： Aug. 14, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 出力波形の歪みを抑制しつつ電流量を増加することができるパワー用高周波HEMTとしての半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 チャネル層上に設けられる電子供給層において、そのドーピング層をGaAs層のみに限定するか、あるいは、AlGaAs層に選択ドーピングしてもその上下に積層したGaAs層に電子がすべて流出してAlGaAs層が空乏化するような超格子構造とすることにより、パラレル・コンダクションが生じても、電子の移動が極端に低下しないようにすることができる。また、緩衝層を介して歪みを有するチャネル層を積層し、その両方に生ずる2次元電子ガスを利用することにより、電流量を倍増することができる。

Claim (excerpt)：

半絶縁性の半導体基板と、前記半導体基板の上に堆積されたチャネル層と、前記チャネル層の上に堆積され、前記チャネル層よりも小さい電子親和力を有する半導体により構成されたスペーサ層と、前記スペーサ層の上に堆積された電子供給層と、を備え、前記電子供給層から供給された電子が前記チャネル層において2次元電子ガスを形成するようにした半導体装置であって、前記電子供給層は、第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも大きい電子親和力を有する第2の半導体層とを周期的に積層してなる超格子を有し、前記第2の半導体層は、n型のドーパントが選択的にドーピングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812