Pat

J-GLOBAL ID：200903083083188349

撮像素子の製造方法

Inventor： 福所 孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996074304
Publication number (International publication number)：1997266295
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 十分なカバレッジで遮光膜を形成できて十分な遮光機能を有し、センサー領域を十分にとれて撮像感度の劣化や感度ムラを防止でき、多様なプロセスに対応可能とすることもできる撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に凸状の導体部(ゲート電極3,5等)を有し、かつセンサー領域と、遮光領域とを有する撮像素子の製造方法において、凸状の導体部を形成後、センサー領域が検知すべき光に対して透明な材料からなる平坦化膜7を形成し、該平坦化膜の遮光領域に該当する部分を選択的に除去し、遮光膜8を成膜し、ポリッシュ法もしくはエッチバック法により該遮光膜のセンサー領域に該当する部分を選択的に除去する撮像素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に凸状の導体部を有し、かつセンサー領域と、遮光領域とを有する撮像素子の製造方法において、凸状の導体部を形成後、センサー領域が検知すべき光に対して透明な材料からなる平坦化膜を形成し、該平坦化膜の遮光領域に該当する部分を選択的に除去し、遮光膜を成膜し、ポリッシュ法もしくはエッチバック法により該遮光膜のセンサー領域に該当する部分を選択的に除去する工程を含むことを特徴とする撮像素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 D ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 B