ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河野登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003058611
Publication number (International publication number)：2004006686
Application date： Mar. 05, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】結晶性が良好なZnO半導体層を安価に形成でき、また、結晶性が良好なZnO半導体層を有する半導体素子を安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】スパッタ法を用いて、基板1上に、1×10-10 S/cm以下の導電率を有するZnOバッファ層2、または、X線回折法による結晶面の回折ピークにおいて(002)及び(004)以外のピーク(例えば(103)または(112)のピーク)を有するZnOバッファ層2を形成し、ZnOバッファ層2上にZnO半導体層3を形成する。ZnOバッファ層2の形成時よりもスパッタガス中の酸素ガス流量が少ない条件でZnO半導体層3を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、1×10-9S/cm以下の導電率を有するZnOバッファ層を形成し、該ZnOバッファ層上にZnO半導体層を形成することを特徴とするZnO半導体層の形成方法。

IPC (5)：

H01L21/363 , C23C14/34 , H01C7/10 , H01L29/786 , H01L33/00

FI (7)：

H01L21/363 , C23C14/34 M , H01C7/10 , H01L33/00 D , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 626C

F-Term (56)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029EA04 , 5E034CA08 , 5E034CB08 , 5E034CC02 , 5E034DB15 , 5E034DD09 , 5E034DE07 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041CA83 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL01 , 5F103LL04 , 5F103LL13 , 5F103NN05 , 5F103RR05 , 5F103RR08 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE03 , 5F110EE43 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110HL03 , 5F110HL22 , 5F110PP36 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-041888 Applicant：株式会社村田製作所

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