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J-GLOBAL ID：200903083088590536

高分子電解質とその調製法

Inventor： ヘルマー-メッツマン,フレディ ,  シュライヒャー,アンドレアス ,  シュネラー,アルノルト ,  ヴィッテラー,ヘルムート
Applicant, Patent owner： ヘキスト・リサーチ・アンド・テクノロジー・ドイチュラント・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997507173
Publication number (International publication number)：1999510198
Application date： Jul. 16, 1996
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】本発明は、ポリアリーレンスルフィドを-10°Cから+20°Cの温度でクロロスルホン酸に完全に溶解し、ついで場合によっては発煙硫酸または無水酢酸を加えて+5°Cから+20°Cの範囲の反応温度で、せいぜい180分の反応時間の間撹拌した後、水性媒質中に沈殿させるポリアリーレンスルフィドのクロロスルホン化法に関する。ポリアリーレンスルフィドはポリパラフェニレンスルフィドが好ましい。本発明は、この方法で製造される、N-メチルピロリドン中に10から50重量%の量で溶解し、50,000g/mol以上の平均分子量Mwを有するクロロスルホン化ポリアリーレンスルフィドにも関する。最後に、本発明は、成形品、箔、繊維または2から200mS/cmの範囲のプロトン伝導率を有する隔膜を製造するためのクロロスルホン化ポリアリーレンスルフィドの使用にも関する。

Claim (excerpt)：

極性非プロトン性溶媒に可溶なポリアリーレンスルフィドースルホン酸。

IPC (8)：

C08G 75/02 ,  B01D 71/66 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08L 81/02 ,  C09D181/02 ,  D01F 6/76 ,  H01B 1/12 ,  H01M 8/02

FI (8)：

C08G 75/02 ,  B01D 71/66 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08L 81/02 ,  C09D181/02 ,  D01F 6/76 D ,  H01B 1/12 Z ,  H01M 8/02 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スルホン化ポリアリーレンスルフィド化合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-097439   Applicant：土田英俊