半導体基板のサブミクロンのギャップを充填するための方法及び装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997015895
Publication number (International publication number)：1997219401
Application date： Jan. 13, 1997
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】絶縁層をメタル層の上に堆積する際、高いアスペクト比のギャップ充填能力を有することを可能にする。【解決手段】ギャップ充填性能を向上した半導体製造プロセスが、FSG堆積/エッチバック/FSG堆積の3ステップのプロセスにより与えられる。第1のFSG層はメタル層の上に堆積する。次いで、アルゴンスパッタエッチングを行い、余分な堆積物をエッチングにより取り去る。最後に、第2のFSG層を堆積して、ギャップ充填プロセスを完成させる。

Claim (excerpt)：

基板に層を堆積するプロセスであって、弗素ドープ珪素酸化物を備える第1の膜を基板に堆積させるステップと、不活性なガスで基板にスパッタリングすることにより、前記第1の膜の一部を前記基板からエッチングするステップと、弗素ドープ珪素酸化物を備える第2の膜を前記第1の膜の上に堆積させるステップとを有するプロセス。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/02

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 21/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319549 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193781 Applicant：富士通株式会社
特開平4-144231

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