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J-GLOBAL ID:200903083105124021

ワイヤソー切断装置及び半導体結晶インゴットのスライス方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川澄 茂
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000211952
Publication number (International publication number):2002018831
Application date: Jul. 07, 2000
Publication date: Jan. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】半導体結晶インゴットより厚さむらがなく、且つ反りも極めて小さいスライス半導体ウエハを効率的に切り出すことができるワイヤソー切断装置及び半導体結晶インゴットのスライス方法を提供すること。【解決手段】複数の軸受部と、該複数の軸受部に支持され、且つ外周面上にワイヤ掛け溝が設けられている複数本の高分子材料被覆溝付けローラと、該複数本の高分子材料被覆溝付けローラの外周面上に掛けられたワイヤとを具備するワイヤソー切断装置において、前記複数本の高分子材料被覆溝付けローラを一定温度に温度調節するように構成して成る。
Claim (excerpt):
複数の軸受部と、該複数の軸受部に支持され、且つ外周面上にワイヤ掛け溝が設けられている複数本の高分子材料被覆溝付けローラと、該複数本の高分子材料被覆溝付けローラの外周面上に掛けられたワイヤとを具備するワイヤソー切断装置において、前記複数本の高分子材料被覆溝付けローラを一定温度に温度調節するように構成して成ることを特徴とするワイヤソー切断装置。
IPC (3):
B28D 5/04 ,  B24B 27/06 ,  F16C 13/00
FI (3):
B28D 5/04 C ,  B24B 27/06 Q ,  F16C 13/00 E
F-Term (25):
3C058AA05 ,  3C058AA14 ,  3C058AA16 ,  3C058AC01 ,  3C058BA08 ,  3C058CB01 ,  3C058DA03 ,  3C058DA17 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069BB03 ,  3C069BB04 ,  3C069BC01 ,  3C069CA04 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  3J103AA02 ,  3J103AA13 ,  3J103AA63 ,  3J103BA03 ,  3J103DA05 ,  3J103FA18 ,  3J103GA52 ,  3J103HA03 ,  3J103HA41

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