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J-GLOBAL ID：200903083106025167

ガスセンサ

Inventor： 青山 佳弘 ,  九山 浩樹 ,  喜多 純一 ,  吉井 光良
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997249918
Publication number (International publication number)：1999072452
Application date： Aug. 28, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ガスセンサの感応膜の安定性を向上させる。【解決手段】 導電性高分子と高濃度のドーパントとを溶媒に溶解させ、更にドーパントを不活性化させる試薬を加え、該溶液を電極を形成した基板に塗布して感応膜を形成する。始め、導電性高分子30のドーピングサイトにはドーパント31が高密度に導入され、その後、その一部が不活性化される。従って、残ったドーパント31のみが電気伝導に寄与するので、導電率を所定の値に収めることができる。また、導電性高分子のドーピングサイトはドーパント31と不活性ドーパント32とで満たされているので、ガス分析の際にドーパントとなり得る物質が不所望に取り込まれることも防止でき、安定した導電率が維持される。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成した二個以上の電極間に感応膜を設け、該感応膜にガス中の対象成分が付着した際の前記電極間の抵抗変化を測定するガスセンサにおいて、導電性高分子のドーピングサイトに、該導電性高分子との間で電子の授受に関与する物質と関与しない物質とを高密度に詰めて感応膜の導電率を所定範囲に収めたことを特徴とするガスセンサ。