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J-GLOBAL ID：200903083111513269

レジストパターン微細化用塗膜形成剤及びそれを用いた微細パターン形成方法

Inventor： 菅田 祥樹 ,  脇屋 和正
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999154372
Publication number (International publication number)：2000347414
Application date： Jun. 01, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レジストパターン底部において不必要な架橋を生じたり、裾ひきが生じるのを抑制し、かつ垂直性の良好な断面形状をもち、ミキシングベークによる依存性の小さいパターンを与えるレジストパターン微細化用塗膜形成剤及び微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)(イ)水溶性架橋剤や(ロ)水溶性樹脂と、(B)水溶性含窒素有機化合物とを含む組成物をレジストパターン微細化用塗膜形成剤として用いること、及び基板上に化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを形成したのち、この上に上記パターン微細化用塗膜形成剤の塗膜を設け、加熱処理してレジストパターンと塗膜との界面に水不溶性の反応層を形成させ、次いで水系溶剤により塗膜の非反応部分を除去することにより、微細パターンを形成する方法である。

Claim (excerpt)：

(A)(イ)水溶性架橋剤及び(ロ)水溶性樹脂の中から選ばれる少なくとも1種と、(B)水溶性含窒素有機化合物とを含むレジストパターン微細化用塗膜形成剤。

IPC (5)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/039 601

FI (5)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/039 601

F-Term (11)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025CB06 ,  2H025CB07 ,  2H025CC01 ,  2H025CC04 ,  2H025CC17 ,  2H025DA02 ,  2H025EA04 ,  2H025EA10 ,  2H025FA17