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J-GLOBAL ID:200903083126205994

自己組織化単分子膜の形成方法及び構造体、電界効果型トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (21): 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008248777
Publication number (International publication number):2009290187
Application date: Sep. 26, 2008
Publication date: Dec. 10, 2009
Summary:
【課題】より一般的で入手が容易な材料から形成可能で、真空や高温が必要なく短時間で形成可能、かつ再現性の良い自己組織化単分子膜の形成方法を提供する。【解決手段】分子の一方の末端に少なくともアルコキシシラン基またはクロロシラン基を有するアルキルシラン化合物を、誘電率が3.0以上6.0以下である有機溶媒に溶解し溶液とする第1工程と、基体に前記溶液を塗布または基体を前記溶液に浸漬する第2工程と、前記基体上の前記溶液を乾燥する第3工程とを少なくとも有する自己組織化単分子膜の形成方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
分子の一方の末端に少なくともアルコキシシラン基またはクロロシラン基を有するアルキルシラン化合物を、誘電率が3.0以上6.0以下である有機溶媒に溶解し溶液とする第1工程と、 基体に前記溶液を塗布または基体を前記溶液に浸漬する第2工程と、 前記基体上の前記溶液を乾燥する第3工程と を少なくとも有する自己組織化単分子膜の形成方法。
IPC (5):
H01L 21/312 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (5):
H01L21/312 A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J
F-Term (41):
5F058AB06 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34

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