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J-GLOBAL ID：200903083133538168

薄膜ELディスプレイ素子の製造方法

Inventor： 水谷 厚司 ,  片山 雅之 ,  服部 有 ,  伊藤 信衛
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992197590
Publication number (International publication number)：1994020775
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 黄橙色以外の発光色を呈する高輝度な薄膜ELディスプレイ素子の製造方法を提供すること。【構成】 MOCVD(有機金属気相成長)装置100の反応炉11内のサセプタ18には基板19が配置されている。この基板19に対してノズル12,13,14から薄膜気相成長のための各ガスが供給される。この時、ノズル14の上流の反応室15内の発光中心物質17は還元性ガスに輸送されて還元状態にて反応炉11内に導入される。このため、母体材料内に発光中心物質が均一に分布された発光層を成膜することができる。従って、本発明の薄膜ELディスプレイ素子の製造方法を用いた薄膜ELディスプレイ素子は硫化亜鉛:マンガン(ZnS:Mn)の黄橙色以外の発光色を呈する発光層を有するものであっても高輝度で高品質なものとなる。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法を用い、母体材料となる有機亜鉛化合物ガス又は有機ストロンチウム化合物ガスと硫黄化合物ガス又はセレン化合物ガスとを反応炉内で反応させ、同時に前記母体材料中に発光中心となる物質を添加して成る発光層を有する薄膜ELディスプレイ素子の製造方法において、前記発光中心となる物質を還元性を有するガスにて還元状態としたのち前記反応炉内に導入することを特徴とする薄膜ELディスプレイ素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  G02F 1/1335 530 ,  H05B 33/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-152191
  
• 特開平3-196643
  
• 特開平2-152191
  
• 特開平3-196643