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J-GLOBAL ID：200903083170070540

オーミック電極およびその形成方法

Inventor： 宮嶋 孝夫 ,  冨岡 聡
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996192818
Publication number (International publication number)：1998022494
Application date： Jul. 03, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 n型窒化物系III-V族化合物半導体に対する低接触比抵抗のオーミック電極およびその形成方法を提供する。【解決手段】 低キャリア濃度のn型GaN層1上にオーミック電極を形成する場合には、このn型GaN層1上にAl-Si合金膜またはAl/Si多層膜2を形成した後、500〜660°Cの温度で熱処理を行うことによりAl-Si合金膜またはAl/Si多層膜2中のSiをn型GaN層1中に拡散させ、高キャリア濃度のn+ 型層3を形成する。Al-Si合金膜またはAl/Si多層膜2の代わりにAu-Si合金膜またはAu/Si多層膜を用いてもよい。高キャリア濃度のn型GaN層上にオーミック電極を形成する場合には、このn型GaN層上にTi膜、Al膜、Pt膜およびAu膜を順次形成した後、700〜1100°Cの温度で熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

n型窒化物系III-V族化合物半導体に対するオーミック電極において、上記n型窒化物系III-V族化合物半導体上のSiを含む導電膜を有し、上記n型窒化物系III-V族化合物半導体と上記Siを含む導電膜との界面の近傍における上記n型窒化物系III-V族化合物半導体中に上記Siを含む導電膜からSiが拡散されていることを特徴とするオーミック電極。

IPC (4)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/28 301 M ,  H01L 21/285 301 M ,  H01L 33/00 C