Pat

J-GLOBAL ID：200903083171422173

非単結晶シリコン膜の形成方法および形成装置

Inventor： 田畑 泉 ,  田代 和昭
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329017
Publication number (International publication number)：1993166733
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光劣化が抑止され、成膜中のイオンによるダメージが少なく、かつ特性の安定した高品質な非単結晶シリコン膜を形成できるようにする。【構成】 反応チャンバ100内で、高周波プラズマCVD法により基板101上に非単結晶シリコン膜を堆積させる第1の工程と、堆積した膜を原子状水素に曝す第2の工程とを交互に行なう。第2の工程で使用される原子状水素は、?@マイクロ波プラズマ発生器150で発生させ、接地された金属メッシュ105を介して反応チャンバ100内に導入されるようにするか、?A反応チャンバ内に水素を供給し、アノード電極に正のバイアスが加わるような直流放電で生成されるようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に非単結晶シリコン膜を堆積する第1の工程と、該第1の工程によって形成された非単結晶シリコン膜の表面を原子状水素に曝す第2の工程とを交互に繰り返し行なう非単結晶シリコン膜の形成方法において、前記基板は成膜容器内に設けられ、前記第1の工程は高周波プラズマCVD法で行なわれ、前記第2の工程で使用される原子状水素は、前記成膜容器に接続されたマイクロ波プラズマ発生手段で生成され、生成された原子状水素は、接地された導電性の網を介して、前記成膜容器内の前記高周波プラズマCVD法による高周波プラズマが形成されるべき空間に導入されることを特徴とする非単結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 V