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J-GLOBAL ID：200903083192426292
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993295379
Publication number (International publication number)：1995147374
Application date： Nov. 25, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 樹脂のコーナ部における他部剤との相対変位を機械的に拘束し、クラック進展方向の樹脂変形を低減し、新しいメカニズムにより発生するリフロークラックを防止する。【構成】 半導体素子2をダイボンディング剤層4を介して搭載するためのタブ11の側面中央部にフックリード15を突出し、該リード15を半導体素子2の回路形成面の方向に折り曲げて、リフロー工程の高温中において前記ダイボンディング剤4が剥離しても、フックリード15は封止用樹脂5のコーナ部における他部剤との相対変位を機械的に拘束し、封止用樹脂5のリフロークラックを防止する。【効果】 クラック進展方向の樹脂変形を低減でき、新しいメカニズムにより発生するリフロークラックが防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体素子を、リードフレームに囲まれたタブに、所定の接着剤層を介して、前記半導体素子の回路形成面の反対面が前記タブの面と対向するように搭載し、前記半導体素子の回路形成面上の各電極と前記リードフレーム中の所定の各リードとをワイヤによって電気的に接続し、封止用樹脂でそれらを封止成形した後、前記リードフレームの不要部分を切断除去してなる半導体装置において、フックを有するフックリードが、前記タブの少なくとも1対の辺から外側に向かって少なくとも1個突出して形成されており、前記封止用樹脂の外面は、前記フックリードの外面と同一面をなすか、もしくは前記フックリードの外面をその内部に内蔵していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/50
, H01L 21/52
, H01L 23/28
