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J-GLOBAL ID:200903083196283364
ウェーハ搬送・固定治具及び半導体装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
竹村 壽
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998366800
Publication number (International publication number):2000195878
Application date: Dec. 24, 1998
Publication date: Jul. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置の組立工程におけるダイシング、裏面研削、ダイボンディングの各工程で1つの搬送・固定治具でまかなえ、且つダイボンディング工程で従来困難であった薄厚のチップの剥離にも容易に対応できるウェーハ搬送・固定治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ2と同径以上であり、板厚方向に複数の孔4が形成された薄板1と、前記薄板の片側に塗布された粘着材3とを具備するウェーハ搬送・固定治具を用い、前記粘着材により前記薄板が固着された状態で、ダイシングラインに沿って半導体素子が形成されている主面に完成時のチップ厚さよりも深い溝6が形成されている前記ウェーハの裏面をこの完成時のチップ厚さまで研削及び研磨してこのウェーハを個々のチップに分離する工程を行い、さらにチップに分離されている前記ウェーハをダイボンディング装置まで搬送する。
Claim (excerpt):
ウェーハと同径もしくはそれ以上のサイズであり、且つ板厚方向に複数の孔が形成された薄板と、前記薄板の片側に塗布された粘着材とを具備し、ウェーハの半導体素子が形成されている主面には前記粘着材により前記薄板が固着されており、この状態で、ダイシングラインに沿って前記半導体素子が形成されている主面に完成時のチップ厚さよりも深い溝が形成されている前記ウェーハの裏面をこの完成時のチップ厚さまで研削及び研磨して前記ウェーハを個々のチップに分離する工程を行うことを特徴とするウェーハ工程間の搬送・固定治具。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/52 F
, H01L 21/68 E
F-Term (12):
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031FA01
, 5F031GA08
, 5F031HA05
, 5F031HA13
, 5F031MA22
, 5F031MA34
, 5F031PA13
, 5F047AA11
, 5F047FA04
, 5F047FA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体ウェーハの保持方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-308417
Applicant:信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社
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特開平4-367250
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コレットおよび半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-085793
Applicant:株式会社東芝
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