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J-GLOBAL ID:200903083196415007
半導体装置の製造装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993097810
Publication number (International publication number):1994310493
Application date: Apr. 23, 1993
Publication date: Nov. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ステップカバレージ及び平坦性に優れており、特にサブミクロンデバイスの絶縁膜として使用するのに有効であるとともに優れた膜質を有し、クラックやボイドの発生もない絶縁膜を形成することができる装置。【構成】 半導体基体を連続的に移送する搬送手段4をそなえ、この搬送手段4による移送経路に沿って半導体基体に表面処理を施す複数個の処理室1,2及び3を配置してなり、上記処理室のうち、移送経路の上流側の少なくとも1個を有機化合物処理を施す処理室とし、残余は熱CVDにより絶縁膜を形成する処理室とする。【効果】 有機化合物処理とCVD法による絶縁膜の形成処理とを、連続的に施すことができ、スループットの低下を招くことなしに有機化合物の処理ができて効率的である。
Claim (excerpt):
半導体基体を連続的に移送する搬送手段をそなえ、この搬送手段による移送経路に沿って半導体基体に表面処理を施す複数個の処理室を配置してなる装置であって、上記処理室のうち、移送経路の上流側の少なくとも1個は有機化合物処理を施す処理室であり、残余は熱CVDにより絶縁膜を形成する処理室である半導体装置の製造装置。
IPC (3):
H01L 21/31
, H01L 21/205
, H01L 21/90
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