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J-GLOBAL ID：200903083208158510

平面型表示装置の製造方法

Inventor： 島村 敏規 ,  井上 浩司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012235
Publication number (International publication number)：2000215792
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 平面型表示装置における電界放出型カソードの高精度の製造を可能にする。【解決手段】 基板1の面上に、第1の電極11及び第1の電極11上の電子放出部9を形成し、第1の電極11及び電子放出部9を含む領域上に絶縁層7を形成し、この絶縁層7上に第2の電極となる電極層121を形成する工程と、電極層121を含む全面上にネガ型のフォトレジスト層30を形成し、電子放出部9をマスクにして基板1の背面より紫外線31を照射してフォトレジスト層30を露光し、現像して電子放出部9に対応する部分のフォトレジスト層301を選択的に除去する工程と、残ったフォトレジスト層301をマスクにして電極層121及び絶縁層7を選択エッチングして電子放出部9が露出する開口を形成する工程を有する。

Claim (excerpt)：

基板の面上に、第1の電極及び該第1の電極上の電子放出部を形成し、前記第1の電極及び前記電子放出部を含む領域上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に第2の電極となる電極層を形成する工程と、前記電極層を含む全面上にネガ型のフォトレジスト層を形成し、前記電子放出部をマスクにして前記基板の背面より前記フォトレジスト層を露光し、現像して前記電子放出部に対応する部分の前記フォトレジスト層を選択的に除去する工程と、前記残ったフォトレジスト層をマスクにして前記電極層及び前記絶縁層を選択エッチングして前記電子放出部が露出する開口を形成する工程とを有することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (2)：

H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C

F-Term (9)：

5C036EE14 ,  5C036EE15 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EG15 ,  5C036EH10 ,  5C036EH26