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J-GLOBAL ID：200903083231743985

磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子

Inventor： 太田 学 ,  野口 潔 ,  佐野 正志 ,  荒木 悟 ,  大池 太郎
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996175490
Publication number (International publication number)：1998004226
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 実用上十分な信頼性を示す酸化物反強磁性層の提供と、大きなMR変化率を示し、印加磁場が例えば-10〜10Oe程度のきわめて小さい範囲で直線的なMR変化の立ち上がり特性を示し、磁場感度が高く、高周波磁界でのMR傾きが大きい磁性多層膜と、それを用いた磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果型ヘッド等の磁気変換素子を提供する。【解決手段】 基板上に、酸化物反強磁性層と、この酸化物反強磁性層によりピン止めされるピン止め強磁性層と、非磁性金属層と、フリー強磁性層とが順次積層された磁性多層膜、ないしはそれを用いた磁気抵抗効果素子、ないしはそれを用いた磁気変換素子であって、前記酸化物反強磁性層のピン止め強磁性層側における表面粗度Raが0.6nm以下、かつ前記酸化物反強磁性層の結晶粒径Dが10〜40nmであるように構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、酸化物反強磁性層と、この酸化物反強磁性層によりピン止めされるピン止め強磁性層と、非磁性金属層と、フリー強磁性層とが順次積層され、前記酸化物反強磁性層のピン止め強磁性層側における表面粗度Raが0.6nm以下、かつ前記酸化物反強磁性層の結晶粒径Dが10〜40nmであることを特徴とする磁性多層膜。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08