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J-GLOBAL ID：200903083248500610

タングステンプラグの形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991151661
Publication number (International publication number)：1993003171
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】シリコン基板上に安定したTiN/TiSixの2層構造を形成してタングステンプラグを形成する方法を提供する。【構成】コンタクトホール3の内面と層間絶縁膜2上にチタン層7を形成した後、熱処理を行なうことによって上記コンタクトホール3の底部にチタンシリサイド膜を形成する工程、未反応チタン層を除去する工程、全露出面に密着層としての窒化チタン膜9を形成した後、窒素含有雰囲気中で熱処理する工程、上記コンタクトホール3内にのみタングステンを埋め込む工程を含む。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記シリコン基板に達するコンタクトホールを形成する工程、前記コンタクトホール内面及び前記層間絶縁膜上にチタン層を形成した後、熱処理を行なうことによって前記コンタクトホール底部にチタンシリサイド(TiSix)膜を形成する工程、前記コンタクトホール側壁及び層間絶縁膜上のチタン層を除去する工程、全露出面に密着層としての窒化チタン膜を形成した後、窒素含有雰囲気中で熱処理する工程、前記コンタクトホール内にのみタングステンを埋め込む工程、を含むことを特徴とするタングステンプラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90