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J-GLOBAL ID：200903083259623039

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 板垣 伸 ,  中川 眞
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999327666
Publication number (International publication number)：2001144318
Application date： Nov. 18, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光照射に起因するドリフト電流を光電流として効率よく取り出せるようにして感度の向上を図る。【解決手段】 P型半導体基板21に、比較的低ドーズ量及び高エネルギーでN型不純物が注入されて、N拡散層35が埋め込まれて形成されている。N拡散層35の上部に存在するP型半導体基板21のP領域21aではP型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。P領域21aの一部の領域にN拡散層35のコンタクトとしてN+領域37が形成されている。N拡散層35及びN+領域37は素子分離用のフィールド酸化膜25及びその下のP拡散層27から離れて形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板内部に埋め込まれた第2導電型拡散層が形成され、前記第2導電型拡散層の上部、下部及び端部でPN接合が形成されており、前記第2導電型拡散層のある領域の基盤表面が受光面となっており、前記PN接合には逆バイアス電圧が印加されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A

F-Term (25)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA17 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA26 ,  5F049MA02 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA15 ,  5F049NA18 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA03