Pat

J-GLOBAL ID：200903083277401000

プラズマエッチング用電極

Inventor： 斉藤 一夫 ,  石松 毅志
Applicant, Patent owner： 日清紡績株式会社
Agent (1)： 小林 雅人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350446
Publication number (International publication number)：1994177076
Application date： Dec. 02, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来技術の難点を解決し、純度や化学的安定性等の特性と、組織破壊等が発生しないという実用的性能とを共に備えるプラズマエッチング用電極を提供することを目的とする。【構成】 本発明プラズマエッチング用電極の構成は、シリコン単結晶からなることを特徴とするか、或いは、多数の貫通小孔を有するシリコン単結晶からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-073936
  
• 特開昭62-085430
  
• 特開平2-020018