Pat

J-GLOBAL ID：200903083290344105

半導体ウエーハの製造方法

Inventor： 久 富 清 志 ,  岩 渕 真三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991185592
Publication number (International publication number)：1993013388
Application date： Sep. 28, 1982
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チッ化シリコン、ポリシリコン等の蒸着に際して、ベベル面にデンドライト結晶が生じてしまうことがなく、しかもキャリア、操作治具、石英等とベベル面とが接触しても、Siクズ、SiN、SiO2 等のクズが発生してしまうことがないようにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製造できるようにした製造方法を提供する。【構成】 単結晶半導体棒1から薄片を切離して半導体ウェーハ2を作り出すスライス工程と、半導体ウェーハ2のエッジ部にベベル加工を施してベベル面2cを形成するベベル工程と、半導体ウェーハ2の表裏両面2a,2bを研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面2cにエッチングを施すエッチング工程と、少なくとベベル面2cを研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ工程とを経ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

単結晶半導体棒から薄片を切離して半導体ウェーハを作り出すスライス工程と、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加工を施してベベル面を形成するベベル工程と、半導体ウェーハの表裏両面を研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面にエッチングを施すエッチング工程と、少なくともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ工程とを経ることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-032638
  
• 特開昭55-121643
  
• 特公昭52-018433